Stm, joint venture da 3,2 miliardi con Sanan in Cina

Stm e Sanan Optoelectronics, hanno siglato una joint venture nei semiconduttori al carburo di silicio (sic) con la costruzione in Cina di una maxi impianto a Chongqing che dovrebbe iniziare la produzione nel quarto trimestre del 2025 ed essere completato per il 2028. In parallelo Sanan costruirà e gestirà separatamente un nuovo impianto di produzione di substrati in sic da 200 mm per soddisfare le esigenze della joint venture. La joint venture per la cui realizzazione è previsto un impegno totale di 3,2 miliardi di dollari, produrrà dispositivi sic esclusivamente per Stmicroelectronics. "La Cina si sta muovendo rapidamente verso l'elettrificazione nel settore automotive e industrial e questo è un mercato in cui St è già bene consolidata con molti programmi in corso con i nostri clienti. La creazione di una foundry dedicata con un partner locale chiave è il modo più efficiente per soddisfare la crescente domanda dei nostri clienti cinesi", ha spiegato Jean-Marc Chery, presidente e ceo del groppo italo-francese di seminconduttori. "Questa iniziativa è coerente con l'ambizione di ST di ricavi per 20 miliardi e oltre di dollari nel 2025- 2027 e con il relativo piano finanziario, precedentemente comunicato ai mercati", ha aggiunto.